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电子元器件详细资料 » IC[18556] » FDD5612
型号:FDD5612类别:FET - 单制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63描述:MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK
系列PowerTrench®
制造商Fairchild Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流_连续漏极(Id)0a025000C5.4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C55 毫欧 @ 5.4A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs11nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds660pF @ 30V
功率_最大1.6W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装TO-252-3
包装Digi-Reel®

供应商

辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳市俊晖半导体有限公司李先生【原装正品,可开发票】13410941925
深圳市恒佳微电子有限公司朱经理、张小姐0755-82533156 82710336
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